0
Zobraziť katalóg

Čelovka Acebeam H30 R+CRI USB PowerBank / 6500К / 4000lm (1.5min+2.5h) / 171m / 9 režimů / IPx8 / Včetně Li-ion 21700 / 80gr

    Popis

    Čelovka Acebeam H30 R+CRI 

    Čelovka AceBeam H30 R+G patří díky světelnému toku až 4000 lumenů (ANSI) a napájení Li-ion akumulátorem 21700 k nejmodernějším na trhu.  V kombinaci s texturovaným reflektorem vytváří široký světelný kužel s dosvitem až 171 metrů. 

    1 x Cree XHP70.2 LED with lifespan of 50,000 hours 
    1 x CREE XPE2-R2 630nm Red light
    1 x Nichia 219C CRI≥90

    Output Mode & Runtime: 
    Ultra-Low: 3 lms; 200 hours; 5 meters; 6cd
    Low: 120 lms; 23.7 hours; 40 meters; 410cd
    Medium: 380 lms; 7.5 hours; 54 meters; 740cd
    High: 1100 lms; 2.9 hours; 89 meters; 2000cd
    Turbo: 2200 lms - 1000 lms; 5.5 minutes + 2.4 hours; 118 meters; 3500cd
    Turbo-Max: 4000 lms - 1000 lms; 1.5 minutes + 2.5 hours; 171 meters; 7300cd
    SOS: 50 lms; 72 hours;
    Red light: 50 lms; 10 hours; 15 meters; 60cd
    CRI: 120 lms; 11 hours; 21 meters; 110cd

    Max 4000 lumens powered by included 1x 21700 battery (IMR21700NP-510A)
    Max runtime: 200 hours
    Max beam distance: 171 m
    Peak beam intensity: 7300 cd

    Low Voltage Indication:
    Ultra-Low: 3V     Low: 3V     Medium: 3V
    High: 3V     Turbo: 3.2V     Turbo-max.: 3.2V
    SOS: 3V     Red light: 3V     Green light: 3V


    The H30 will be turned off when the voltage at:
    Ultra Low: 2.7V     Low: 2.7V     Medium: 2.7V
    High: 2.7V     Turbo: 2.9V     Turbo-max.: 2.9V
    SOS: 2.7V     Red light: 2.7V     Green light: 2.7V

     

    • K napájení slouží 1x Li-ion akumulátor 21700 5100 mAh, alternativně lze použít i vysokoproudový 1x Li-ion 18650 (musí zvládnout proud více než 10A).
    • Digitální regulace pro udržení konstantního jasu během vybíjení baterií.
    • Podporované napájecí napětí 3-8,4 V.
    • Rozsah provozních teplot -20 až +70 °C.
    • Upozornění na vybitý akumulátor.
    • Texturovaný reflektor pro světelný kužel s dosvitem 171 metrů
    • Rychlé nabíjení přes zatěsněný USB-C konektor proudem 2 A, doba nabíjení zcela vybité čelovky cca 3-4 hodiny s 2 A USB adaptérem.
    • Přibalený kabel je obousměrný, čelovku lze využít i jako powerbanku pro nouzové nabíjení jiných USB zařízení proudem až 2 A.
    • Nastavitelný hlavový popruh s reflexními prvky.
    • Vyrobeno z leteckého duralu s odolnou povrchovou úpravou Hard Anodized III v černé barvě. Odolné lichoběžníkové závity.
    • Tvrzená ultra čistá čočka.
    • Praktické ovládání dvěma spínači.
    • Vodotěsná dle standardu IPX8, nárazuvzdorná pádům z výšky 1 metr.
    • Rozměry: 8,9 cm (délka), 4,1 cm (průměr hlavy), 2,9 cm (průměr bateriového tubusu).
    • Hmotnost těla čelovky 151,5 gramů (včetně akumulátoru), hmotnost popruhů 38,8 gramů.
    • Součástí balení čelovky je hlavový popruh, akumulátor 21700 5100 mAh, redukce na 18650 akumulátor, obousměrný nabíjecí USB-C kabel, náhradní o-kroužky.

    Hodnotenie

    Užívateľská recenzia - Čelovka Acebeam H30 R+CRI USB PowerBank / 6500К / 4000lm (1.5min+2.5h) / 171m / 9 režimů / IPx8 / Včetně Li-ion 21700 / 80gr
    * Povinné informácie

    *
    Napíšte klady a zápory, každý bod na jeden riadok.
    Nechajte prázdne, ak Vás nič nenapadá.
    Celkové hodnotenie
     


     
     
    Užívateľská recenzia bola úspešne vytvorená. Ďakujeme!
     
    Odporúčame zakúpiť spoločne s tovarom (všetko na sklade)
    1 z 1
     
    29.90 € s DPH Na sklade 

    MOSFET.

    Tranzistory MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) hrajú kľúčovú úlohu v systémoch riadenia a ochrany lítiovo-iónových akumulátorov (BMS – Battery Management System). Slúžia ako bezkontaktné elektronické spínače, ktoré zaisťujú bezpečnú prevádzku, ochranu článkov a spínanie nabíjacích aj vybíjacích prúdov.

    Konfigurácia so štyrmi MOSFETmi sa v BMS obvodoch používa najčastejšie tak, že sú tranzistory zapojené po dvojiciach paralelne na zvýšenie prúdovej zaťažiteľnosti a zníženie tepelných strát (2x nabíjací + 2x vybíjací MOSFET), prípadne pri obojstranne symetrických obvodoch.

    Hlavné funkcie MOSFETov v obvodoch BMS

    • Ochrana proti prebitiu (Overcharge Protection). Ak napätie na ktoromkoľvek článku prekročí bezpečnú hranicu (typicky 4,25 V), BMS rozopne nabíjací MOSFET (CHG), čím okamžite preruší nabíjací prúd.
    • Ochrana proti podbitiu / hlbokému vybitiu (Over-discharge Protection). Pri poklese napätia článku pod kritickú hranicu (typicky 2,5 V až 2,8 V) rozopne vybíjací MOSFET (DSG), čím odpojí záťaž a zabráni trvalému poškodeniu alebo zničeniu akumulátora.
    • Ochrana proti prúdovému preťaženiu a skratu (Overcurrent / Short Circuit). Vďaka vysokej rýchlosti spínania dokážu MOSFETy rozopnúť obvod v ráde mikrosekúnd pri detekcii skratu alebo nadprúdového odberu.
    • Balansovanie článkov (Cell Balancing). Mnoho menších pomocných MOSFETov na doske BMS sa používa na vyrovnávanie napätia medzi jednotlivými sériovo zapojenými článkami (premostením cez vybíjacie rezistory), čo predlžuje celkovú životnosť batérie.

    Pretože každý MOSFET obsahuje vnútornú parazitnú diódu (body diode), ktorá vedie prúd v jednom smere aj pri vypnutom stave, zapájajú sa tranzistory sériovo proti sebe (back-to-back)

    • Nabíjací MOSFET (CHG).  Blokuje nabíjací prúd smerom do batérie, ale jeho vnútorná dióda stále umožňuje vybíjanie.
    • Vybíjací MOSFET (DSG). Blokuje vybíjací prúd smerom do záťaže, ale jeho vnútorná dióda umožňuje prípadné nabíjanie.
    • Použitie 4 MOSFETov. Paralelné zapojenie dvoch CHG a dvoch DSG tranzistorov delí vnútorný odpor v zopnutom stave na polovicu, vďaka čomu BMS zvládne dvojnásobný prúd bez nadmerného prehrievania.

    Výhody použitia MOSFETov v BMS

    • Nízky vnútorný odpor. Minimalizuje energetické straty a vyžarované teplo pri vysokých prúdoch.
    • Extrémna rýchlosť spínania. Okamžitá reakcia na skrat alebo nadprúd v ráde mikrosekúnd.
    • Vysoká spoľahlivosť a životnosť. Na rozdiel od mechanických relé nemajú žiadne pohyblivé kontakty, ktoré by sa mohli opotrebovať alebo opalovať.